基于可见光响应的纳米硒半导体器件
发布时间:2021-12-11点击次数:
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所属单位:材料科学与工程学院
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教研室:金属材料工程教研室
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发表刊物:微纳电子技术
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摘要:不加入任何表面活性剂、利用溶解-重结晶原理合成了一维结构的Se纳米带,并用XRD,SEM及TEM等方法对产品进行了表征。以单根的硒纳米带为光电响应材料、以银浆为接触电极组装成纳米器件,并对光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试。结果表明:在可见光(日光灯)照射下,其对开灯的最快响应时间约为30ms,关灯时最快衰减时间为50ms。该纳米器件的光电流对温度有依赖作用,低温下有利于光电流的产生;单色光的波长对纳米器件的光电流及响应时间的影响不同,在单色光谱响应范围内,纳米器件在650nm处产生的光电流最大,而在350nm处的响应时间最快。
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第一作者:覃爱苗
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论文类型:期刊论文
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论文编号:4a41df956131ded40161b77e9a4302e9
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是否译文:否
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发表时间:2012-01-15
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覃爱苗
个人信息
- 教授
- 教师拼音名称:tanaimiao
- 电子邮箱:
- 所在单位:材料科学与工程学院
- 性别:女
- 学位:博士
- 职称:教授
- 在职信息:在岗