拓扑绝缘体HgTe纳米材料制备技术
发布时间：2021-12-11点击次数：
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所属单位：材料科学与工程学院
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教研室：金属材料工程教研室
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发表刊物：材料导报
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摘要：概述了近期碲化汞纳米材料的各种制备技术的研究进展,并总结了制备、技术中出现的问题。结合晶体生长机理,分析了碲化汞量子点、纳米线等典型的形貌特征。介绍了碲化汞制备技术研究中具有代表性的几个课题组的研究动向。结合本课题组的研究进展,讨论了碲化汞制备过程中碲源和汞源所存在的问题。最后展望了碲化汞的制备技术改进。
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第一作者：覃爱苗
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论文类型：期刊论文
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论文编号：4a41df956131ded40161b7784f7202d9
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是否译文：否
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发表时间：2012-12-10
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覃爱苗
个人信息
- 教授
- 教师拼音名称：tanaimiao
- 电子邮箱：
- 所在单位：材料科学与工程学院
- 性别：女
- 学位：博士
- 职称：教授
- 在职信息：在岗
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